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(碳化硅)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,可制作出性能更加优异的高温(300℃~500℃)、高频、高功率
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试用计划:申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验,熟悉MOSET各种性能和应用,掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
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