对于快充电源而言，一般使用独立初级搭配次级同步整流，次级同步整流自动检测初级开关管的开关，自动控制同步整流管的开关。而更大功率电源其内部的LLC，会由初级LLC输出同步整流信号，无需次级同步整流以获得更高的效率。

　　我们都知道开关电源内部是初次级隔离的，输出电压通过光耦来反馈。对于大功率开关电源来说，为了降低初级的损耗，会把放在次级，由辅助电源进行供电。这样一来，就需要一颗隔离驱动器，将输出的驱动信号隔离放大，用来驱动初级MOS管。

　　通常我们所熟知的隔离器件是光耦，光耦确实可以起到隔离通信的作用，但是光耦内部没有驱动器，需要外置的独立驱动器，使用起来比较麻烦。针对这一痛点，茂睿芯推出了一系列高可靠性隔离栅极驱动器芯片，可助力厂商实现高效且精简的隔离驱动电路设计。

　　MD18011X系列是一款光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力，输入引脚耐压-16V，主要用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。其采用了自主开发的磁隔离技术，绝缘耐压等级高达5700VRMS，能有效提高设备可靠性及使用寿命，应对强电对信号的干扰时也能有效防止对信号链的干扰，从而让系统稳定运行。

　　相比于传统的光耦型栅极驱动器，MD18011X具有工作寿命更长，CMTI≥200kV/us以上，耐负压能力更高，UVLO恢复更快，脉冲宽度失真更小等优点。

　　MD18011X系列采用SOW-6封装，并具有8mm的电气间隙和爬电距离，可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统之中。

　　MD18023X系列作为一款双通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力来驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器和一个半桥驱动器。输入端通过5.7kVRMS的隔离障壁与输出端隔离，具有最小200-V/ns的共模瞬变抗扰度。

　　输入侧所有端口均可耐受-10V至30V的直流电压，从而增加了对长传输路径上寄生电感引起的振铃的稳健性。保护功能包括可编程的死区设置（DT PIN）、DIS功能以关闭两通道输出和所有供电的欠压锁定（UVLO）。

　　MD18023系列通过了多项安全相关认证，提供SOP-16、SOP-16宽体两种封装，可应用于隔离式交流-直流和直流-直流电源、服务器、工业基础设施、混动车和电动车充电器等领域之中。

　　茂睿芯MD18011X和MD18023X芯片均是隔离型栅极驱动器，适用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。MD18011X特点包括4A拉电流和7A灌电流能力，输入侧-16V耐压，5700VRMS磁隔离技术，长工作寿命，高CMTI值（≥200kV/us），更强的耐负压能力，快速UVLO恢复，和较小脉冲宽度失线mm以上电气间隙和爬电距离，适于工业电源、光伏逆变器等应用。

　　MD18023X提供4A拉电流和7A灌电流能力，可配置为两个低侧或高侧驱动器，或一个半桥驱动器，具有5.7kVRMS隔离壁，最小200-V/ns共模瞬变抗扰度。输入范围-10V至30V直流电压，增强对振铃的稳健性，并有可编程的死区设置、禁用功能和UVLO保护。通过安全认证，提供SOP-16和SOW-16封装，适合隔离式AC-DC和DC-DC电源、服务器等应用。

　　两款芯片优势在于高效驱动能力、强大的隔离性能、稳健的输入电压处理、多样的配置选项以及广泛的应用范围，特别适合要求高可靠性和安全性的关键领域。