第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片

　　等方面表现更为出色。同时，产品的封装更为丰富，以更好满足客户需求，可广泛应用于新能源汽车电机、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS及PFC电源等领域。

　　等方面表现出色。产品可广泛应用于大功率充电桩、燃料电池DCDC器、数据中心UPS、高频DCDC变换器、高端电焊机、光伏逆变器等领域。

　　，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。产品可广泛用于光伏储能、新能源汽车、工业电源、商用空调等领域。

　　等功能，可适配功率器件最高电压2300V，可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、风电变流器、电机传动、大功率开关电源等领域。

　　新品发布会后，基本半导体技术专家分别介绍了公司在碳化硅MOSFET芯片、硅IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联研究技术、碳化硅功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片的创新产品和技术经验。

　　为深化碳中和愿景下的亚欧第三代半导体创新合作，由深圳市科学技术协会与深圳市光明区人民政府指导，深圳基本半导体有限公司与深圳中欧创新中心共同主办的

　　中国工程院院士、英国皇家工程院院士陈清泉作主旨演讲，来自尼得科、采埃孚、日新、Yole Développement、Energy Depot、欣锐科技、重投天科、中科汇珠等亚欧国家的企业及科研机构专家分别围绕第三代半导体前沿技术、市场热点、产业应用和未来趋势等议题，共同探讨全球第三代半导体产业的发展机遇。

　　2023基本创新日活动亮点纷呈，现场嘉宾反响热烈。面对未来的机遇与挑战，创新与合作始终是不变的话题！基本半导体将继续深耕碳化硅功率器件领域，矢志创新、勇攀技术高峰，携手产业链上下游合作伙伴，共创产业新辉煌！